零件编号 : RJP30E2, RJP30E2DPK-M0
描述
Silicon N Ch 360V IGBT High Speed Power Switching
封装形式 : TO-220FL
制造商 : Renesas Electronics
引脚图 :
描述
:
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
RJP30E2 Datasheet PDF
文件中的其他数据表： RJP30E2DPK-M0, RJP30E2DPK-M0-T0